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提高結(jié)區(qū)的純度并降低結(jié)區(qū)的復(fù)合速率,提高太陽能電池板的短路電流

發(fā)布日期:2018-06-25 00:00 來源:http://thamestown.cn 點(diǎn)擊:

   制結(jié)是在基體材料上生成不同導(dǎo)電類型的擴(kuò)散層,形成P-N結(jié)。這是電池制作過程中的關(guān)鍵工序。目前主要有熱擴(kuò)散、離子注入、外延、激光以及高頻電注入等方法。

  擴(kuò)散是物質(zhì)分子或原子運(yùn)動(dòng)所引起的一種自然現(xiàn)象。熱擴(kuò)散制造P-N結(jié)是用加熱的方法,使5價(jià)雜質(zhì)摻入P型硅,或3價(jià)雜質(zhì)摻入N型硅。硅太陽電池中常用的5價(jià)雜質(zhì)元素是磷,3價(jià)雜質(zhì)元素是硼。

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  對(duì)于擴(kuò)散的要求是獲得適合于太陽電池P-N結(jié)所需的結(jié)深和擴(kuò)散層方塊電阻。淺結(jié)的表面濃度低,電池短波響應(yīng)好,但會(huì)引起串聯(lián)電阻增加,只有提高電極柵線的密度,才能有效提高電池的填充因子,這樣就增加了工藝難度;如果表面濃度太大,會(huì)引起重?fù)诫s效應(yīng),使得電池的開路電壓和短路電流均下降。在實(shí)際電池制作中,應(yīng)綜合考慮各種因素,結(jié)深般控制在0.3 ~0.5μm。

  擴(kuò)散質(zhì)量是否符合工藝要求,可通過測(cè)量薄層電阻R¨來衡量,薄層電阻即方塊電阻,為單位面積的半導(dǎo)體薄層所呈現(xiàn)的電阻,它可以反映出擴(kuò)散工藝過程中進(jìn)入的雜質(zhì)總量。方塊電阻與擴(kuò)散時(shí)間、擴(kuò)散溫度和氣流量大小等因素密切相關(guān),一般而言 ,擴(kuò)散雜質(zhì)濃度越高,導(dǎo)電能力越強(qiáng),方塊電阻也越小。通常方塊電阻為40~70Ω比較適宜。但為了使太陽能電池板轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提高,目前擴(kuò)散方塊電阻有不斷增大的趨勢(shì),主要是為了提高結(jié)區(qū)的純度并降低結(jié)區(qū)的復(fù)合速率,從而提高太陽能電池板的短路電流。

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