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CIGS薄膜太陽(yáng)能電池板的發(fā)展,迪晟如何重拳出擊

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CIGS薄膜太陽(yáng)能電池板的發(fā)展,迪晟如何重拳出擊

發(fā)布日期:2018-09-17 00:00 來(lái)源:http://thamestown.cn 點(diǎn)擊:

  深圳太陽(yáng)能板廠(chǎng)家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司,CIGS系太陽(yáng)能電池板是近期達(dá)到實(shí)用化的新型太陽(yáng)電池。它不使用硅材料,面是用被稱(chēng)為黃銅礦系的材料村成。具代表性的是由銅(Cw、煙(n)、嫁(Ga)和菇(Se)組成的化合物(簡(jiǎn)稱(chēng)CIGS)制成的太陽(yáng)能電池板。一般的晶體硅太陽(yáng)電池相比, 其主要特征是光吸收系數(shù)很高,只用2~ 3jumm的厚度就能吸收幾乎所有到達(dá)其表面的太陽(yáng)光。雖然硒(So)和硫(S)是具有毒性的物質(zhì),但是,這些元素在我們的身邊和生活中廣泛存在,即使考慮遇到火災(zāi),它們也不會(huì)給環(huán)境安全帶來(lái)影響,面且,電池本身的厚度只有幾微米,可以有效地節(jié)省資源,降低制造時(shí)所需的能源消耗。在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)得到與晶體硅太陽(yáng)電池相她美的19.8%高轉(zhuǎn)換效率,面且還有很大的提高空向。

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  硅薄膜太陽(yáng)能電池板,包括非晶硅、微品硅、多晶硅薄膜太陽(yáng)電池。

  非晶硅(amorphous silicon. a-Si) 薄膜太陽(yáng)能電池板,在晶體硅太陽(yáng)能電池板中,真正起發(fā)電作用的僅是硅片表面附近的很少部分,離表面較遠(yuǎn)部分并不直接起發(fā)電作用,為了盡量節(jié)約硅材料,有效降低生產(chǎn)成本,晶體硅太陽(yáng)電池正向薄片化方向發(fā)展。目前硅片厚度已降至200um以下;另一方面,就是向薄膜化方向發(fā)展,非晶硅薄膜太陽(yáng)電池是早實(shí)現(xiàn)進(jìn)入市場(chǎng)的商業(yè)化薄膜太陽(yáng)能電池板。

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  非晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池板,是在非硅的襯底上制作很薄的硅薄膜來(lái)發(fā)電。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemiceal Vapor Deposition, PECVD),向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用輝光放電位其分解,借助化學(xué)反應(yīng)在襯底上堆積硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持與晶體硅相同的基本結(jié)構(gòu)。晶體硅是每一個(gè)硅原子通過(guò)共價(jià)鍵與其他4個(gè)硅原子鍵合成四面體,摻氫非晶硅僅以共價(jià)鍵與其他3個(gè)相鄰的硅原子相鍵合,面硅的第4個(gè)價(jià)原子與氫原子鍵合。在摻氧非晶硅中,化合氫的含量用原子百分?jǐn)?shù)表示占10%左右。這些復(fù)原子會(huì)直接對(duì)懸掛鍵(dangling bond)缺陷結(jié)合,減少對(duì)電子的捕獲,以達(dá)到非晶硅的低缺陷密度,使其能夠作為太陽(yáng)電池應(yīng)用。下面,從應(yīng)用者視角,有必要關(guān)注下面的內(nèi)容:

  非晶硅太陽(yáng)能電池板與晶體硅太陽(yáng)能電池板的不同點(diǎn)非晶體太陽(yáng)能電池板基本也是P-N結(jié)構(gòu),其工作與晶體硅太陽(yáng)能電池板沒(méi)有大的區(qū)別。

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