多數(shù)載流子的擴散運動

　　如果將P型和N型半導體兩者緊密結合，連成一體，導電類型相反的兩塊半 導體之間的過渡區(qū)域，稱為P-N結。在PN結兩邊，P區(qū)內，空穴很多， 電子很少;而在N區(qū)內，則電子很多，空穴很少。因此，在P型和N型半導體交界面的兩邊，電子和空穴的濃度不相等，因此會產生多數(shù)載流子的擴散運動。

　　在靠近交界面附近的P區(qū)中，空穴要由濃度大的P區(qū)向濃度小的N區(qū)擴散,并與那里的電子復合，從而使該處出現(xiàn)~批帶 正電荷的摻人雜質的離子;同時,在P區(qū)內，由于跑掉了一批空穴而呈現(xiàn)帶負電荷的摻人雜質的離子。

　　在靠近交界面附近的N區(qū)中，電子要由濃度大的N區(qū)向濃度小的P區(qū)擴散，并與那里的空穴復合，從而使該處出現(xiàn)批帶負電荷的摻人雜質的離子;同時，在N區(qū)內，由于跑掉了一批電子而呈現(xiàn)帶正電荷的摻人雜質的離子。

　　于是，擴散的結果是在交界面的兩邊形成靠近N區(qū)的一邊帶正電荷，而靠近P區(qū)的另一邊帶負電荷的一層很薄的區(qū)域，稱為空間電荷區(qū)(也稱耗盡區(qū))，這就是P-N結。在P-N結內，由于兩邊分別積聚了正電荷和負電荷，會產生一個由N區(qū)指向P區(qū)的反向電場，稱為內建電場(或勢壘電場)。

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