深圳太陽能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司，當(dāng)禁帶寬度Eg,比較小時,隨著溫度上升，從價帶躍遷到導(dǎo)帶的電子數(shù)增多,同時在價帶產(chǎn)生同樣數(shù)目的空穴,這個過程叫做電子-空穴對的產(chǎn)生。室溫條件下能產(chǎn)生這樣的電子-空穴對，并具有一定電導(dǎo)率的半導(dǎo)體叫做本征半導(dǎo)體，它是極純而又沒有缺陷的半導(dǎo)體。通常情況下，由于半導(dǎo)體內(nèi)含有雜質(zhì)或存在晶格缺陷，使得作為自由載流子的(電子或空穴)一方增多，形成摻雜半導(dǎo)體，存在多余電子的稱為N型半導(dǎo)體,存在多余空穴的稱為P型半導(dǎo)體。

　　雜質(zhì)原子可通過兩種方式摻入晶體結(jié)構(gòu)，當(dāng)雜質(zhì)原子擁擠在基質(zhì)晶體原子間的空隙中時，稱為間隙雜質(zhì);另一種方式是用雜質(zhì)原子替換基質(zhì)晶體的原子，保持晶體結(jié)構(gòu)有規(guī)律的原子排列，稱這些原子為替位雜質(zhì)。

　　元素周期表中Ⅲ族和V族的原子在硅中充當(dāng)替位雜質(zhì),如1個V族雜質(zhì)替換了1個硅原子的晶格,4個價電子與周圍的硅原子組成共價鍵，但第5個價電子卻處于不同的情況。它不在共價鍵內(nèi),因此不在價帶內(nèi);同時又被束縛于V族原子，不能穿過晶格自由運(yùn)動,因此它也不在導(dǎo)帶內(nèi)?？梢灶A(yù)期，與束縛在共價鍵內(nèi)的自由電子相比，釋放這個多余電子只需較少的能量，比硅的帶隙能量1.1eV小得多。自由電子位于導(dǎo)帶中,因此被束縛于V族原子的多余電子位于低于導(dǎo)帶底的地方。

　　這就在“禁止的”帶院中安置了一個允許能級。 例如，把V族元索(Sb、AL 、P)作為雜質(zhì)攜入單元素平導(dǎo)體硅單晶中時，這些雜質(zhì)群代硅原子的位置進(jìn)入晶格點(diǎn)。它的5個價電子除與相鄰的硅原子形成共價鍵外，還多余1個價電子。與共價健相比，這個剩余價電子極松弛地結(jié)合于雜質(zhì)原子。因此，只要雜質(zhì)原子得到很少的能量，在溫室下就可以較放出，形成自由電子，而雜質(zhì)原子本身變成1價正離子，但因受晶格點(diǎn)陣的束縛，它不能運(yùn)動，在這種情況下，摻V族元素的硅就形成了電子過剩的N型半導(dǎo)體。這類可以向半導(dǎo)體提供自由電子的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。

　　除了從這些施主能級產(chǎn)生的電子外，還存在從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶的電子。由于這個過程是電子-空穴成對產(chǎn)生的，因此，也存在相同數(shù)目的空穴。在N型半導(dǎo)體中,把數(shù)量多的電子稱為多數(shù)載流子,將數(shù)量少的空穴稱為少數(shù)載流子。

　?、笞咫s質(zhì)分析與上述類似，如將B、AI、Ga、In作為雜質(zhì)摻入時，由于形成完整的共價鍵上缺少1個電子，所以就從相鄰的硅原子中奪取1個價電子來形成完整的共價鍵。被奪走電子的原子留下一個空位,成為空穴。結(jié)果,雜質(zhì)原子成為1價負(fù)離子的同時，提供了束縛不緊的空穴。這種結(jié)合只要用很少的能量就可能破壞，而形成自由空穴,使半導(dǎo)體成為空穴過剩的P型半導(dǎo)體。接受電子的雜質(zhì)原子稱為受主雜質(zhì)。在這種情況下，多數(shù)載流子為空穴，少數(shù)載流子為電子。另外，也有由于構(gòu)成元素蒸汽壓差過大等原因，造成即使摻，入雜質(zhì)也得不到N、P兩種導(dǎo)電類型的情況。

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