多晶鑄錠提高太陽能板的效率

通過多晶鑄錠對熱場溫度的優(yōu)化以及晶粒的細(xì)化，使晶體在初期的成核得到控制，在結(jié)晶過程中具有穩(wěn)定的結(jié)晶速度和過冷度，從而提高了硅晶體的少子壽命，降低了硅晶體的內(nèi)部缺陷，提高了多晶硅太陽能板的效率。

1、大晶粒的制備

大晶粒學(xué)名成為準(zhǔn)單晶是基于多晶鑄錠的工藝，在長晶時(shí)通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片。這種通過鑄錠的方式形成單晶硅的技術(shù)，其功耗只比普通多晶硅多5%，所生產(chǎn)的單晶硅的質(zhì)量接近直拉單晶硅。簡單地說，這種技術(shù)就是用多晶硅的成本，生產(chǎn)單晶硅的技術(shù)。準(zhǔn)單晶產(chǎn)品的優(yōu)勢：轉(zhuǎn)換效率高于普通多晶，接近直拉單晶電池片；與普通多晶電池片相比LID基本無變化，性能穩(wěn)定；比起普通多晶，太陽能板功率提升明顯，單位成本降低；可封裝265瓦(60片排布)大組件。

2、調(diào)整熱場結(jié)構(gòu)，優(yōu)化工藝

由于不同的溫度梯度會導(dǎo)致不同的晶向產(chǎn)生，如果需要做到降低成核缺陷，需要清楚<100>的成核機(jī)理，經(jīng)過查詢，大于186度的溫度梯度差，才能滿足形成<100>晶向的溫度要求。

通過改進(jìn)工藝，調(diào)整熱場結(jié)構(gòu)，生長速度得以控制。改進(jìn)后的多晶鑄錠生長段配方后，晶體的生長速度更加趨于平穩(wěn)，這樣有利于雜質(zhì)的均勻向上分凝。而與此同時(shí)保證界面的平穩(wěn)性可以控制雜質(zhì)的平穩(wěn)析出。在控制界面水平則可以實(shí)現(xiàn)成核的一致性，及達(dá)到均勻晶粒的細(xì)化技術(shù)。對于整個(gè)生長過程，界面溫度微凸是有利的，有利于雜質(zhì)的向外排出，但太凸，會導(dǎo)致邊緣16塊受損嚴(yán)重。通過穩(wěn)定熱場，優(yōu)化生長工藝，改進(jìn)生長界面實(shí)現(xiàn)了降低缺陷密度，提高硅晶體少數(shù)載流子壽命的目的，終達(dá)到了提高硅晶體太陽能板效率的目標(biāo)。