多晶硅是單質(zhì)硅元素的一種形態(tài)，單質(zhì)硅在熔融以后經(jīng)過冷卻凝固，形成多晶硅。多晶硅形態(tài)大多以灰色金屬光澤為主，不會溶于水中，在正常的室內(nèi)溫度下，多晶硅還會容易出現(xiàn)碎裂的情況。而在高溫的環(huán)境下，多晶硅則有著很大化學活潑型。因此，多晶硅有著很多的使用用途。我們現(xiàn)在就來仔細了解一下。

 多晶硅的理化性質(zhì) 

 多晶硅有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學活潑性，幾乎能與任何材料作用。

 多晶硅具有半導體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。 

 多晶硅的用途 

 多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學性質(zhì)、光學性質(zhì)和熱學性質(zhì)的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。 在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導體器件的電子信息基礎材料。

 1、多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原材料 這種使用用途就是用來生產(chǎn)單晶硅以及太陽能光伏電池。單晶硅也可用來制作太陽能產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品，但是出來的導電性往往沒有多晶硅好。同時多晶硅生產(chǎn)的光伏材料，在市場上的占比也是高達百分之九十以上，主要的需求來源是來自于太陽能以及半導體電池。

 2、多晶硅是單質(zhì)的元素硅，是半導體行業(yè)中應用廣泛的元素 由于多晶硅的化學性質(zhì)十分的穩(wěn)定，同時自身也沒有一定的環(huán)境污染。還有半導體材料良好的特點。因此被廣泛的使用在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、航天等多方面。在人工智能、自動控制等半導體的元器件中也少不了要使用到多晶硅，因此多晶硅還被稱之為是“微電子大M的基石”。