国产一区二区三区正在播放,手机在线观看亚洲精品,国产精品区在线12p,影音先锋5566大众生中文字幕,三十熟女,先锋影音资源站-奇特电影网

聯(lián)系我們

深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司

聯(lián)系人:張女士

電話:18923848794

郵箱:sales@desunpv.com

聯(lián)系人:張小姐

電話:18138279558

郵箱:linda@desunpv.com

電話:0755-2919-1169/1189

地址:深圳市龍華區(qū)觀瀾街道新瀾社區(qū)觀光路1301號(hào)-1號(hào)、2號(hào)、3號(hào)


行業(yè)聚焦 | 多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝

您的當(dāng)前位置: 首 頁(yè) >> 資訊中心 >> 技術(shù)知識(shí)

行業(yè)聚焦 | 多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝

發(fā)布日期:2022-01-23 00:00 來(lái)源:http://thamestown.cn 點(diǎn)擊:

一、多晶硅太陽(yáng)能板,電子束蒸發(fā)和電鍍


一般,使用正膠剝離工藝,蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極,要減小金屬電極所引起的串聯(lián)電阻,往往需要金屬層比較厚(8~10微米)。缺點(diǎn)是電子束蒸發(fā)造成硅外表/鈍化層介面損害,使外表復(fù)合進(jìn)步,因而,工藝中,選用短時(shí)蒸發(fā)Ti/Pa層,在蒸發(fā)銀層的工藝。


另一個(gè)問(wèn)題是金屬與硅接觸面較大時(shí),必將導(dǎo)致少子復(fù)合速度進(jìn)步。工藝中,選用了隧道結(jié)接觸的辦法,在硅和金屬成間構(gòu)成一個(gè)較薄的氧化層(一般厚度為20微米左右)應(yīng)刻苦函數(shù)較低的金屬(如鈦等)可在硅外表感應(yīng)一個(gè)穩(wěn)定的電子積累層(也可引入固定正電荷加深反型)。


另外一種辦法是在鈍化層上開出小窗口(小于2微米),再淀積較寬的金屬柵線(一般為10微米),構(gòu)成mushroom-like狀電極,用該辦法在100px2 Mc-Si上電池的轉(zhuǎn)化功率到達(dá)17.3%。


圖片18.png


二、多晶硅太陽(yáng)能板,PN結(jié)的構(gòu)成技能


1、發(fā)射區(qū)構(gòu)成和磷吸雜 : 關(guān)于高效太陽(yáng)能電池,發(fā)射區(qū)的構(gòu)成一般選用選擇分散,在金屬電極下方構(gòu)成重雜質(zhì)區(qū)域而在電極間完結(jié)淺濃度分散,發(fā)射區(qū)的淺濃度分散即增強(qiáng)了電池對(duì)藍(lán)光的響應(yīng),又使硅外表易于鈍化。分散的辦法有兩步分散工藝、分散加腐蝕工藝和埋葬分散工藝。目前選用選擇分散,15×375px2電池轉(zhuǎn)化功率到達(dá)16.4%,n++、n+區(qū)域的外表方塊電阻分別為20Ω和80Ω。



關(guān)于Mc-Si資料,擴(kuò)磷吸雜對(duì)電池的影響得到廣泛的研討,較長(zhǎng)時(shí)刻的磷吸雜進(jìn)程(一般3~4小時(shí)),可使一些Mc-Si的少子分散長(zhǎng)度進(jìn)步兩個(gè)數(shù)量級(jí)。在對(duì)襯底濃度對(duì)吸雜效應(yīng)的研討中發(fā)現(xiàn),即使對(duì)高濃度的襯第資料,經(jīng)吸雜也可以取得較大的少子分散長(zhǎng)度(大于200微米),電池的開路電壓大于638mv, 轉(zhuǎn)化功率超越17%。單晶太陽(yáng)能電池板



2、背外表場(chǎng)的構(gòu)成及鋁吸雜技能 : 在Mc-Si電池中,背p+p結(jié)由均勻分散鋁或硼構(gòu)成,硼源一般為BN、Bp、APCVD SiO2:B2O8等,鋁分散為蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷鋁,800度下燒結(jié)所完結(jié),對(duì)鋁吸雜的作用也開展了大量的研討,與磷分散吸雜不同,鋁吸雜在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行。其中體缺點(diǎn)也參加了雜質(zhì)的溶解和沉積,而在較高溫度下,沉積的雜質(zhì)易于溶解進(jìn)入硅中,對(duì)Mc-Si發(fā)生晦氣的影響。到目前為至,區(qū)域背場(chǎng)已使用于單晶硅電池工藝中,但在多晶硅中,仍是使用全鋁背外表場(chǎng)結(jié)構(gòu)。



3、雙面Mc-Si電池 : Mc-Si雙面電池其正面為慣例結(jié)構(gòu),反面為N+和P+相互穿插的結(jié)構(gòu),這樣,正面光照發(fā)生的但位于反面鄰近的光生少子可由背電極有用吸收。背電極作為對(duì)正面電極的有用補(bǔ)充,也作為一個(gè)獨(dú)立的栽流子收集器對(duì)反面光照和散射光發(fā)生作用。


多晶硅太陽(yáng)能板


三、多晶硅太陽(yáng)能板,外表和體鈍化技能


關(guān)于Mc-Si,因存在較高的晶界、點(diǎn)缺點(diǎn)(空位、填隙原子、金屬雜質(zhì)、氧、氮及他們的復(fù)合物)對(duì)資料外表和體內(nèi)缺點(diǎn)的鈍化尤為重要,除前面說(shuō)到的吸雜技能外,鈍化工藝有多種辦法,通過(guò)熱氧化使硅懸掛鍵飽滿是一種比較常用的辦法,可使Si-SiO2界面的復(fù)合速度大大下降,其鈍化作用取決于發(fā)射區(qū)的外表濃度、界面態(tài)密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化作用更加顯著。選用PECVD淀積氮化硅近期正面十分有用,由于在成膜的進(jìn)程中具有加氫的作用。該工藝也可使用于規(guī)?;霎a(chǎn)中。太陽(yáng)能板



四、多晶硅太陽(yáng)能板,工業(yè)化電池工藝

 

太陽(yáng)電池從研討室走向工廠,試驗(yàn)研討走向規(guī)?;霎a(chǎn)是其發(fā)展的道路,所以可以到達(dá)工業(yè)化出產(chǎn)的特征應(yīng)該是:

(1)電池的制造工藝可以滿足流水線作業(yè);

(2)可以大規(guī)模、現(xiàn)代化出產(chǎn);

(3)到達(dá)高效、低成本。當(dāng)然,其主要目標(biāo)是降低太陽(yáng)電池的出產(chǎn)成本。



       迪晟太陽(yáng)能板廠房面積達(dá)16000平方米,員工300余人,采用先進(jìn)自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn),高速貼片機(jī)有10余臺(tái),自動(dòng)焊接線有5條,全自動(dòng)層壓機(jī)有7臺(tái),生產(chǎn)線有10余條,成品組裝線有4條,產(chǎn)能可達(dá) 70000PCS/12H。太陽(yáng)能板產(chǎn)品已通過(guò)BSCI認(rèn)證、TUV、ROHS、CE等多項(xiàng)認(rèn)證,并且擁有多項(xiàng)太陽(yáng)能板及組件開發(fā)技術(shù)zhuanli。可根據(jù)用戶具體需求進(jìn)行太陽(yáng)能板定制開發(fā),真誠(chéng)歡迎到迪晟觀瀾太陽(yáng)能板廠參觀,定制企業(yè)所需規(guī)格參數(shù)太陽(yáng)能板。


4.png

可直接電話

18923848794張經(jīng)理

或加微信交流。

可定制太陽(yáng)能光伏發(fā)電、光伏發(fā)電、太陽(yáng)能發(fā)電、屋頂光伏電站、屋頂光伏發(fā)電、屋頂太陽(yáng)能發(fā)電、分布式光伏發(fā)電、分布式太陽(yáng)能發(fā)電所需規(guī)格太陽(yáng)能板。

量大的請(qǐng)于迪晟太陽(yáng)能板廠直接聯(lián)系。


相關(guān)標(biāo)簽:太陽(yáng)能板,太陽(yáng)能板廠,太陽(yáng)能板定制,多晶硅太陽(yáng)能板

近期瀏覽:

深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司
聯(lián)系我們

聯(lián)系人:張女士                   電 話:18923848794 

郵   箱:sales@desunpv.com

聯(lián)系人:張小姐                   電   話:18138279558

郵 箱:linda@desunpv.com 

電 話:0755-2919-1169/1189

手機(jī)官網(wǎng)

1664329857120744.png

Copyright ? 深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司 專注太陽(yáng)能小板,單晶 ,多晶、柔性等及太陽(yáng)能折疊包生產(chǎn)定制。
粵IC備16064074號(hào)  Powered by 祥云平臺(tái)  技術(shù)支持: 華企立方