CIGS系列太陽能電池板是近期達到實用化的新型太陽能電池片。它不使用硅材料，面是用被稱為黃銅礦系的材料村成。很具代表性的是由銅(Cw、煙(n)、嫁(Ga)和菇(Se)組成的化合物(簡稱CIGS)制成的太陽能電池片。一般的晶體硅太陽能電池相比， 其主要特征是光吸收系數(shù)很高，只用2～3jumm的厚度就能吸收幾乎所有到達其表面的太陽光。雖然硒(So)和硫(S)是具有毒性的物質，但是，這些元素在我們的身邊和生活中廣泛存在，即使考慮遇到火災，它們也不會給環(huán)境安全帶來影響，面且，電池本身的厚度只有幾微米，可以有效地節(jié)省資源，降低制造時所需的能源消耗。在實驗室已經得到與晶體硅太陽電池相對比的19.8%高轉換效率，面且還有很大的提高空向。

　　硅薄膜太陽電池，包括非晶硅、微晶硅、多晶硅薄膜太陽能電池。

　　非晶硅(amorphous silicon. a-Si) 薄膜太陽能電池板

　　在晶體硅太陽能電池中，真正起發(fā)電作用的僅是硅片表面附近的很少部分，離表面較遠部分并不直接起發(fā)電作用，為了盡量節(jié)約硅材料，有效降低生產成本，晶體硅太陽電池正向薄片化方向發(fā)展。目前硅片厚度已降至200um以下;另一方面，就是向薄膜化方向發(fā)展，非晶硅薄膜太陽電池是早實現(xiàn)進入市場的商業(yè)化薄膜太陽能電池板。

　　非晶體硅薄膜太陽能電池板，是在非硅的襯底上制作很薄的硅薄膜來發(fā)電。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemiceal Vapor Deposition, PECVD)，向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用輝光放電位其分解，借助化學反應在襯底上堆積硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持與晶體硅相同的基本結構。晶體硅是每一個硅原子通過共價鍵與其他4個硅原子鍵合成四面體，摻氫非晶硅僅以共價鍵與其他3個相鄰的硅原子相鍵合，面硅的第4個價原子與氫原子鍵合。在摻氧非晶硅中，化合氫的含量用原子百分數(shù)表示占10%左右。這些復原子會直接對懸掛鍵(dangling bond)缺陷結合，減少對電子的捕獲，以達到非晶硅的低缺陷密度，使其能夠作為太陽電池應用。下面，從應用者視角，有必要關注下面的內容：

　　非晶硅太陽能電池板與晶體硅太陽能電池板的不同點非晶體太陽電池基本也是P-N結構，其工作與晶體硅太陽能電池板沒有大的區(qū)別。

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