CIGS系列太陽電池是近期達(dá)到實(shí)用化的新型太陽電池。它不使用硅材料，面是用被稱為黃銅礦系的材料村成。具代表性的是由銅(Cw、煙(n)、嫁(Ga)和菇(Se)組成的化合物(簡稱CIGS)制成的太陽電池。般的品體硅太陽電池相比， 其主要特征是光吸收系數(shù)很高，只用2~ 3jumm的厚度就能吸收幾乎所有到達(dá)其表面的太陽光。雖然硒(So)和硫(S)是具有毒性的物質(zhì)，但是，這些元素在我們的身邊和生活中廣泛存在，即使考慮遇到火災(zāi)，它們也不會(huì)給環(huán)境安全帶來影響，面且，電池本身的厚度只有幾微米，可以有效地節(jié)省資源，降低制造時(shí)所需的能源消耗。在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)得到與晶體硅太陽電池相她美的19.8%高轉(zhuǎn)換效率，面且還有很大的提高空向。

　　硅薄膜太陽電池，包括非晶硅、微晶硅、多晶硅薄膜太陽電池。

　　 非晶硅(CIGS) 薄膜太陽電池

　　在晶體硅太陽電池中，真正起發(fā)電作用的僅是硅片表面附近的很少部分，離表面較遠(yuǎn)部分并不直接起發(fā)電作用，為了盡量節(jié)約硅材料，有效降低生產(chǎn)成本，晶體硅太陽電池正向薄片化方向發(fā)展。目前硅片厚度已降至200um以下;另一方面，就是向薄膜化方向發(fā)展，非晶硅薄膜太陽電池是早實(shí)現(xiàn)進(jìn)入市場(chǎng)的商業(yè)化薄膜太陽電池。

　　非晶體硅薄膜太陽電池，是在非硅的襯底上制作很薄的硅薄膜來發(fā)電。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemiceal Vapor Deposition, PECVD)，向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用輝光放電位其分解，借助化學(xué)反應(yīng)在襯底上堆積硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持與晶體硅相同的基本結(jié)構(gòu)。晶體硅是每一個(gè)硅原子通過共價(jià)鍵與其他4個(gè)硅原子鍵合成四面體，摻氫非晶硅僅以共價(jià)鍵與其他3個(gè)相鄰的硅原子相鍵合，面硅的第4個(gè)價(jià)原子與氫原子鍵合。在摻氧非晶硅中，化合氫的含量用原子百分?jǐn)?shù)表示占10%左右。這些復(fù)原子會(huì)直接對(duì)懸掛鍵(dangling bond)缺陷結(jié)合，減少對(duì)電子的捕獲，以達(dá)到非晶硅的低缺陷密度，使其能夠作為太陽電池應(yīng)用。下面，從應(yīng)用者視角，有必要關(guān)注下面的內(nèi)容：

　　非晶硅太陽電池與晶體硅太陽電池的不同點(diǎn)非晶體太陽電池基本也是P-N結(jié)構(gòu)，其工作與晶體硅太陽電池沒有大的區(qū)別。

　　通過對(duì)多條技術(shù)路線的消化整合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，迪晟在不斷實(shí)現(xiàn)薄膜太陽能技術(shù)的升級(jí)。單結(jié)砷化鎵(GaAs)薄膜太陽能組件光電轉(zhuǎn)換率達(dá)到25.1%;玻璃基大面積銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能組件轉(zhuǎn)換率達(dá)到18.72%;柔性銅銦鎵硒(CIGS)光電轉(zhuǎn)換率達(dá)到17.44%，進(jìn)一步奠定了迪晟在薄膜太陽能產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)先地位。

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